GJB 548標準

GJB548 是什么

GJB548《微電子器件試驗方案和程序》規定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗、機械環(huán)境試驗、電學(xué)試驗和檢驗程序，以及為保證微電子器件滿(mǎn)足預定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件毡香。標準適用于軍用微電子器件狙奖，是我國當今最完善搽念、最成熟的軍用電子元器件質(zhì)量與可靠性的檢測標準带料。

GJB548 是大量電子元器件應用實(shí)踐的經(jīng)驗與現代科學(xué)相結合的產(chǎn)物。GJB548 中的方法是對電子元器件在使用過(guò)程中大量出現的失效模式進(jìn)行機理分析，并將這些失效機理對應的元器件的材料、結構缺陷和隱患與現代檢測技術(shù)相結合形成的蟹兜，所以這些方法針對性很強，有很好的實(shí)踐性與科學(xué)性。

GJB548C 參與制定單位

工業(yè)和信息化部電子第四研究院哗律、北京航空航天大學(xué)进浸、中國電子科技集團公司第二十四研究所、中國電子科技集團公司第四十三研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國航天科技集團有限公司第九研究院第七七一研究所、中國航天科技集團有限公司第九研究院第七七二研究所、濟南市半導體元件實(shí)驗所。

GJB548C 修訂情況

GJB548C 試驗項目一共 78 項（其中 74 項原有，新增 4 項）

氣候環(huán)境試驗：1000 系列-28 項

機械環(huán)境試驗：2000 系列-35 項

電學(xué)試驗：3000 系列-2 項

檢驗程序：5000 系列-13 項

原有的 74 項試驗方法里未改動(dòng)的有 42 項犁兽，有修改的32 項埠箩。

增加的 4 項試驗方法有：方法 2036  耐焊接熱亭轮、方法 2037  鉛錫焊料成分分析-X 射線(xiàn)熒光檢測、方法 2038  焊柱陣列封裝的破壞性引線(xiàn)拉力和方法 3023  集成電路鎖定。

GJB548C 主要變化

1.  正文    

（1）更新并增加了引用文件；

（2）增加了失效模式、失效機理、標準物質(zhì)等術(shù)語(yǔ)定義所卫； 

（3）增加了電測試應在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求；

（4）細化了電測試溫度控制要求(尤其對于混合電路)。

2.  方法1012.1  熱性能

（1）基于當前紅外熱像設備大多已具備輻射率修正能力，將涂漆要求改為可選操作；

（2）增加了涂層材料對峰值結溫的影響說(shuō)明。

3.  方法1014.3  密封

（1）增加了 A5 試驗條件；

（2）提高了宇航級混合集成電路器件漏率失效判據；

（3）細化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內腔容積分段；

（4）增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法；

（5）細化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求网棉。

4.  方法1017.1  中子輻射

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）細化了輻射源要求，增加了電離總劑量限制指標。

5.方法1018.2  內部氣體成分分析

（1）刪除了程序2 和程序33；

（2）細化了質(zhì)譜儀的校準要求债缀；

（3）增加了真空箱和傳遞通道的描述擞唯；

（4）增加了實(shí)驗室應提供對未知或已存在但未達到識別濃度的氣體質(zhì)譜描述說(shuō)明的規定维袒；

（5）增加了實(shí)驗室無(wú)權判定器件合格或不合格的規定倦迄。

6.方法  1019.3電離輻射(總劑量)

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義他砧；

（2）增加了低溫輻射試驗規定；

（3）增加了使用干冰保存樣品的規定；

（4）增加了低劑量率增強效應(ELDRS)的判定試驗表征試驗岂脯。

7.方法  1020.2  劑量率感應鎖定

劑量測量系統中增加了閃爍探測器和康普頓二極管。

8.方法1034.1  染料滲透

（1）增加了試驗設備迅神，并細化了規格參數；

（2）修改了浸滲劑粘度；

（3）增加了正常明視場(chǎng)條件下的剖面拍照要求脐半。

9.方法 2003.2  可焊性

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）增加了材料和設備；

（3）對蒸汽老化作了分類(lèi)編寫(xiě)；

（4）對試驗條件作了分類(lèi)編寫(xiě)哮哗；

（5）增加了附錄 A 和附錄B；

（6）除了可焊性評價(jià)準則表。

10.方法 2004.3引線(xiàn)牢固性

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）增加了試驗條件 A1 引線(xiàn)釬焊牢固性和試驗條件E 引線(xiàn)鍍層牢固性；

（3）修改了剛性引線(xiàn)試驗程序；

（4）彎曲應力試驗和引線(xiàn)疲勞試驗增加了翼型引線(xiàn)和 J 形引線(xiàn)試驗程序。

11.  方法2005.1  振動(dòng)疲勞

增加了峰值加速度與振幅和頻率的計算關(guān)系。

12.方法 2009.2  外部目檢

（1）增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據；

（2）增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開(kāi)口泡的缺陷判據。

13.方法 2010.2  內部目檢(單片電路)

（1）增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求；

（2）修改了  S  級金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據务荣。

14.方法 2011.2  鍵合強度

（1）增加了引線(xiàn)鍵合點(diǎn)剪切試驗;

（2）增加了拉力鉤放置位置示意圖。

15.方法 2012.2X 射線(xiàn)檢查

（1）增加了實(shí)時(shí)成像 X射線(xiàn)檢查的設備和程序要求

（2）增加了有缺陷密封判據的示意圖不看。

16.方法 2015.2  耐溶劑性

修改了刷樣品時(shí)的手壓力序循。

17.方法 2017.2  內部目檢(混合電路)

（1）刪除了一般要求；

（2）在檢查中增加了附加檢查的規定；

（3）鍵合檢查通用要求增加了  H 級和K 級的擠出金屬缺陷判據邱石。

18.方法 2018.2  掃描電子顯微鏡(SEM)檢查

（1）增加了對于化學(xué)機械拋光（CMP）等平坦化工藝不需要 SEM檢查的要求；

（2）增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案；

（3）增加了阻擋層/附著(zhù)層不需要查的情況；

（4）修改了鈍化層臺階放大倍數范圍。

19.  方法 2019.3  芯片切強度

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）修改了失效判據和分離模式。

20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測

（1）降低了預置值峰值；

（2）增加了設備的數據存儲采集與分析可選功能；

（3）增加了不允許試驗大型器件的規定究拼；

（4）增加了器件放置位置范圍要求；

（5）增加了試驗頻的計算公式似饵；

（6）修改了腔高和頻率典型對應值。

21. 方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力

增加了拉力鉤放置位置示意圖。

22. 方法 2030.1 芯片粘接的超聲檢測

增加了圖例及反射/透射模式對照圖。

23. 方法 2032.1 無(wú)源元件的目檢

（1）在檢查中增加了附加檢查的規定；

（2）細化了判據格式說(shuō)明；

（3）修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據底今；

（4）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據；

（5）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據赶札；

（6）修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據道葱；

（7）修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據；

（8）修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據局聪；

（9）修正了部分數據換算錯誤任厄。

24. 方法 2036 耐焊接熱

新增試驗方法抿旧。

25. 方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線(xiàn)光檢測

新增試驗方法退窖。

26. 方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線(xiàn)拉力

新增試驗方法宣铲。

27. 方法 3015.1 靜電敏感度的分級

（1）修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規定栅费；

（2）增加了空腳引出端的試驗要求；

（3）細化了同名電源引出端的分組規定；

（4）增加了可以放置旁路電阻來(lái)消除脈沖前電壓的選擇；

（5）增加了放電結束后可以將所有引線(xiàn)同時(shí)接地的選擇。

28. 方法 3023 集成電路鎖定

新增試驗方法。

29. 方法 5004.3 篩選程序

增加了附錄 A。

30. 方法 5005.3 鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗程序

（1）B 級 B 組檢驗增加了芯片剪切或芯片粘接強度試驗；

（2）D 組檢驗增加了耐接熱分組；

（3）E 組檢驗增加了單粒子效應分組宽噪；

（4）增加了部分注釋。

31. 方法 5007.2 品圓批驗收

（1）增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執行的規定；

（2）增加了 GaAs、GaN 工藝晶圓厚度要求。

32. 方法 5009.1 破壞性物理分析

該方法內容已被 GJB4027 工作項目 1100 所代替。

33. 方法 5010.3 復雜單片微電路檢驗程序

E 組檢驗增加了瞬態(tài)電離輻射加盛、輻射鎖定和單粒子效應分組。

34. 方法 5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序

（1）修改了工藝監測圖形(PM)贬逞；

（2）增加了 PM 合格率和 PM 設置要求。