檢測標準
GJB 548標準
GJB548 是什么
GJB548《微電子器件試驗方案和程序》規定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗、機械環(huán)境試驗、電學(xué)試驗和檢驗程序,以及為保證微電子器件滿(mǎn)足預定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件毡香。標準適用于軍用微電子器件狙奖,是我國當今最完善搽念、最成熟的軍用電子元器件質(zhì)量與可靠性的檢測標準带料。
GJB548 是大量電子元器件應用實(shí)踐的經(jīng)驗與現代科學(xué)相結合的產(chǎn)物。GJB548 中的方法是對電子元器件在使用過(guò)程中大量出現的失效模式進(jìn)行機理分析,并將這些失效機理對應的元器件的材料、結構缺陷和隱患與現代檢測技術(shù)相結合形成的蟹兜,所以這些方法針對性很強,有很好的實(shí)踐性與科學(xué)性。
GJB548C 參與制定單位
工業(yè)和信息化部電子第四研究院哗律、北京航空航天大學(xué)进浸、中國電子科技集團公司第二十四研究所、中國電子科技集團公司第四十三研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國航天科技集團有限公司第九研究院第七七一研究所、中國航天科技集團有限公司第九研究院第七七二研究所、濟南市半導體元件實(shí)驗所。
GJB548C 修訂情況
GJB548C 試驗項目一共 78 項(其中 74 項原有,新增 4 項)
氣候環(huán)境試驗:1000 系列-28 項
機械環(huán)境試驗:2000 系列-35 項
電學(xué)試驗:3000 系列-2 項
檢驗程序:5000 系列-13 項
原有的 74 項試驗方法里未改動(dòng)的有 42 項犁兽,有修改的32 項埠箩。
增加的 4 項試驗方法有:方法 2036 耐焊接熱亭轮、方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線(xiàn)熒光檢測、方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線(xiàn)拉力和方法 3023 集成電路鎖定。
GJB548C 主要變化
1. 正文
(1)更新并增加了引用文件;
(2)增加了失效模式、失效機理、標準物質(zhì)等術(shù)語(yǔ)定義所卫;
(3)增加了電測試應在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求;
(4)細化了電測試溫度控制要求(尤其對于混合電路)。
2. 方法1012.1 熱性能
(1)基于當前紅外熱像設備大多已具備輻射率修正能力,將涂漆要求改為可選操作;
(2)增加了涂層材料對峰值結溫的影響說(shuō)明。
3. 方法1014.3 密封
(1)增加了 A5 試驗條件;
(2)提高了宇航級混合集成電路器件漏率失效判據;
(3)細化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內腔容積分段;
(4)增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法;
(5)細化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求网棉。
4. 方法1017.1 中子輻射
(1)增加了部分術(shù)語(yǔ)定義;
(2)細化了輻射源要求,增加了電離總劑量限制指標。
5.方法1018.2 內部氣體成分分析
(1)刪除了程序2 和程序33;
(2)細化了質(zhì)譜儀的校準要求债缀;
(3)增加了真空箱和傳遞通道的描述擞唯;
(4)增加了實(shí)驗室應提供對未知或已存在但未達到識別濃度的氣體質(zhì)譜描述說(shuō)明的規定维袒;
(5)增加了實(shí)驗室無(wú)權判定器件合格或不合格的規定倦迄。
6.方法 1019.3電離輻射(總劑量)
(1)增加了部分術(shù)語(yǔ)定義他砧;
(2)增加了低溫輻射試驗規定;
(3)增加了使用干冰保存樣品的規定;
(4)增加了低劑量率增強效應(ELDRS)的判定試驗表征試驗岂脯。
7.方法 1020.2 劑量率感應鎖定
劑量測量系統中增加了閃爍探測器和康普頓二極管。
8.方法1034.1 染料滲透
(1)增加了試驗設備迅神,并細化了規格參數;
(2)修改了浸滲劑粘度;
(3)增加了正常明視場(chǎng)條件下的剖面拍照要求脐半。
9.方法 2003.2 可焊性
(1)增加了部分術(shù)語(yǔ)定義;
(2)增加了材料和設備;
(3)對蒸汽老化作了分類(lèi)編寫(xiě);
(4)對試驗條件作了分類(lèi)編寫(xiě)哮哗;
(5)增加了附錄 A 和附錄B;
(6)除了可焊性評價(jià)準則表。
10.方法 2004.3引線(xiàn)牢固性
(1)增加了部分術(shù)語(yǔ)定義;
(2)增加了試驗條件 A1 引線(xiàn)釬焊牢固性和試驗條件E 引線(xiàn)鍍層牢固性;
(3)修改了剛性引線(xiàn)試驗程序;
(4)彎曲應力試驗和引線(xiàn)疲勞試驗增加了翼型引線(xiàn)和 J 形引線(xiàn)試驗程序。
11. 方法2005.1 振動(dòng)疲勞
增加了峰值加速度與振幅和頻率的計算關(guān)系。
12.方法 2009.2 外部目檢
(1)增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據;
(2)增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開(kāi)口泡的缺陷判據。
13.方法 2010.2 內部目檢(單片電路)
(1)增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求;
(2)修改了 S 級金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據务荣。
14.方法 2011.2 鍵合強度
(1)增加了引線(xiàn)鍵合點(diǎn)剪切試驗;
(2)增加了拉力鉤放置位置示意圖。
15.方法 2012.2X 射線(xiàn)檢查
(1)增加了實(shí)時(shí)成像 X射線(xiàn)檢查的設備和程序要求
(2)增加了有缺陷密封判據的示意圖不看。
16.方法 2015.2 耐溶劑性
修改了刷樣品時(shí)的手壓力序循。
17.方法 2017.2 內部目檢(混合電路)
(1)刪除了一般要求;
(2)在檢查中增加了附加檢查的規定;
(3)鍵合檢查通用要求增加了 H 級和K 級的擠出金屬缺陷判據邱石。
18.方法 2018.2 掃描電子顯微鏡(SEM)檢查
(1)增加了對于化學(xué)機械拋光(CMP)等平坦化工藝不需要 SEM檢查的要求;
(2)增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案;
(3)增加了阻擋層/附著(zhù)層不需要查的情況;
(4)修改了鈍化層臺階放大倍數范圍。
19. 方法 2019.3 芯片切強度
(1)增加了部分術(shù)語(yǔ)定義;
(2)修改了失效判據和分離模式。
20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測
(1)降低了預置值峰值;
(2)增加了設備的數據存儲采集與分析可選功能;
(3)增加了不允許試驗大型器件的規定究拼;
(4)增加了器件放置位置范圍要求;
(5)增加了試驗頻的計算公式似饵;
(6)修改了腔高和頻率典型對應值。
21. 方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力
增加了拉力鉤放置位置示意圖。
22. 方法 2030.1 芯片粘接的超聲檢測
增加了圖例及反射/透射模式對照圖。
23. 方法 2032.1 無(wú)源元件的目檢
(1)在檢查中增加了附加檢查的規定;
(2)細化了判據格式說(shuō)明;
(3)修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據底今;
(4)修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據;
(5)修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據赶札;
(6)修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據道葱;
(7)修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據;
(8)修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據局聪;
(9)修正了部分數據換算錯誤任厄。
24. 方法 2036 耐焊接熱
新增試驗方法抿旧。
25. 方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線(xiàn)光檢測
新增試驗方法退窖。
26. 方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線(xiàn)拉力
新增試驗方法宣铲。
27. 方法 3015.1 靜電敏感度的分級
(1)修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規定栅费;
(2)增加了空腳引出端的試驗要求;
(3)細化了同名電源引出端的分組規定;
(4)增加了可以放置旁路電阻來(lái)消除脈沖前電壓的選擇;
(5)增加了放電結束后可以將所有引線(xiàn)同時(shí)接地的選擇。
28. 方法 3023 集成電路鎖定
新增試驗方法。
29. 方法 5004.3 篩選程序
增加了附錄 A。
30. 方法 5005.3 鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗程序
(1)B 級 B 組檢驗增加了芯片剪切或芯片粘接強度試驗;
(2)D 組檢驗增加了耐接熱分組;
(3)E 組檢驗增加了單粒子效應分組宽噪;
(4)增加了部分注釋。
31. 方法 5007.2 品圓批驗收
(1)增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執行的規定;
(2)增加了 GaAs、GaN 工藝晶圓厚度要求。
32. 方法 5009.1 破壞性物理分析
該方法內容已被 GJB4027 工作項目 1100 所代替。
33. 方法 5010.3 復雜單片微電路檢驗程序
E 組檢驗增加了瞬態(tài)電離輻射加盛、輻射鎖定和單粒子效應分組。
34. 方法 5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序
(1)修改了工藝監測圖形(PM)贬逞;
(2)增加了 PM 合格率和 PM 設置要求。