材料分析
芯片電路修改/點(diǎn)針墊偵錯
描述： 聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)惟狞，簡(jiǎn)稱(chēng)FIB)電路修改，原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機氣體進(jìn)行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導體或非導體(新接電路)汐膨。
電路修改(FIB circuit) 通過(guò)聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)衡枫，即可提供芯片設計者直接修改芯片電路理格，無(wú)需重復改光罩重新投片若郭，不僅可降低經(jīng)費，更可加速芯片設計原型(Prototype)的驗證與量產(chǎn)上市時(shí)間(Time-to-market)。
點(diǎn)針墊偵錯 (CAD Probe Pad) 在芯片上做信號擷取點(diǎn)进馈，通過(guò)FIB將芯片設計者欲量測的信號點(diǎn)引出到芯片表面，并利用機械式探針(Mechanical Prober) 擷取芯片內部信號胺瑰。
晶背電路修改 隨著(zhù)覆晶封裝基材限制，與先進(jìn)制程演持續進(jìn)到7nm撼缕，金屬繞線(xiàn)層增加以及更為復雜緊密的電路布局，從晶背(Silicon)進(jìn)行電路修改提升可行性與成功率。
應用范圍：
可達4.5nm分辨率刷征，可執行16/14/10nm制程之線(xiàn)路修補；
最大可放置8吋晶圓；
支持 Knights Merlin CAD Navigation 軟件；
高準確度雷射導引Stage；
內建紅外線(xiàn)IR顯微鏡可觀(guān)察CMP層及絕緣硅層；
金屬聯(lián)機材質(zhì)有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇；
建置FEI DE/DX蝕刻氣體，應用于高深寬比、緊密電路。
檢測圖片：
芯片正面施作修改：
FIB點(diǎn)針墊偵錯：
復雜電路施工：
利用FIB在芯片內部加電阻：
晶背電路修改：
檢測設備能量：
提升電路修改良率建議：
去封膠、打線(xiàn)或封裝后，先回測再進(jìn)行FIB；
同一顆芯片上執行越多的修改內容，Fail風(fēng)險會(huì )越高暗驭；
FIB聯(lián)機的阻值較原芯片聯(lián)機要高，若有低電阻聯(lián)機過(guò)高電流需求，需先注明；
提供GDS II以利定位(局部區域或層數即可)作業(yè)，有助良率提升下难。
