掃描式電子顯微鏡(SEM)

描述： 

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron microscopy, SEM)主要是利用微小聚焦的電子束(Electron Beam)進(jìn)行樣品表面掃描，激發(fā)樣品產(chǎn)生各種物理信號，如二次電子眠痘、背散射電子、吸收電子、X射線(xiàn)、俄歇電子等，SEM主要就是收集從表面發(fā)出的二次電子形成樣品的表面圖像。

測試范圍：

針對各種材料表面微結構觀(guān)察；

SEM測量樣品尺寸鸿忻；

EDS可針對樣品表面冰说，進(jìn)行微區定性與半定量成份元素分析/ 特定區域之Point、Line Scan、Mapping分析兢瘁；

EDS可在低電壓下迁少，提升Mapping的空間分辨率；

SEM自動(dòng)拍照，搭配去層技術(shù)De-Process胃佳，可提供電路逆向工程參考；

利用低能電子束掃描做被動(dòng)式電壓對比(Passive Voltage Contrast, PVC)，對于異常漏電或接觸不良的半導體組件損壞可精準定位慕酣。

特點(diǎn)：

儀器分辨本領(lǐng)較高。二次電子像分辨可達1nm(場(chǎng)發(fā)射)3nm(鎢燈絲)。

儀器放大倍數變化范圍大(從幾倍到幾十萬(wàn)倍)，且連續可調。

圖像景深大，富有立體感∧竿啵可直接觀(guān)察起伏較大的粗糙表面(如金屬和陶瓷的斷口等)。

試樣制備簡(jiǎn)單。只要將塊狀或粉末的、導電的或不導電的試樣不加處理或稍加處理烽害，就可直接放到SEM中進(jìn)行觀(guān)察。一般來(lái)說(shuō)均估，比透射電鏡(TEM)的制樣簡(jiǎn)單，且可使圖像更接近于試樣的真實(shí)狀態(tài)。

可做綜合分析：

SEM裝上波長(cháng)色散X射線(xiàn)譜儀(WDX,簡(jiǎn)稱(chēng)波譜儀)或X射線(xiàn)能譜儀(EDS,簡(jiǎn)稱(chēng)能譜儀)后，在觀(guān)察掃描形貌的同時(shí)，可對試樣微區進(jìn)行元素分析。

裝上半導體樣品座附件，可以直接觀(guān)察晶體管或集成電路的p-n結及器件失效部位的情況。

裝上不同類(lèi)型的試樣臺和檢測器可以直接觀(guān)察處于不同環(huán)境(加熱、冷卻、拉伸等)中的試樣顯微結構形態(tài)的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程(動(dòng)態(tài)觀(guān)察)。

背散射電子衍射可以揭示樣品的晶體結構和取向抨匠。

檢測圖片：

材料表面微結構：二次電子影像

材料表面微結構：背向散射電子影像

半導體芯片剖面分析：

電壓對比(Passive Voltage Contrast,PVC）：應用于影像對比亮暗的差異性，判斷contact是否有open/short的異常

EDS mapping：

IC線(xiàn)路逆向分析：使用掃描式電子顯微鏡(SEM)大范圍拍攝之影像，左圖是由100張拼圖而成的SEM影像祷埠，右圖為取左圖其中一小塊的影像，可以清楚呈現納米等級的線(xiàn)路。

藉由層層delayer钝折，并使用SEM拍照拼圖，可檢視各層Metal之對應關(guān)系

FA_Delayer分析（Contact檢查發(fā)現異常點(diǎn)）

檢測設備圖片：

HITACHI SU8220

創(chuàng )芯在線(xiàn)實(shí)驗室檢測優(yōu)勢：

1忆尿、采用業(yè)界主流的場(chǎng)發(fā)射掃描式電子顯微鏡進(jìn)口設備，分析精度可達5nm；

2诬喘、(掃描電鏡扬仑，FE-SEM)：FEI Nova Nano 450激访、Hitachi su8010闽缓、Hitachi SU8220,且加裝EDS (SDD detector)，可提供高解析之表面結構分析影像，亦可快速進(jìn)行材料成份之分析。