失效分析
點(diǎn)針信號量測
描述：透過(guò)OM顯微鏡，利用一般點(diǎn)針(Prober)彭连，搭接于芯片內部線(xiàn)路，使其可以外接各類(lèi)電性量測設備处筑，以輸入信號及量測電性曲線(xiàn)。可依據不同需求涯趾，搭配多種設備進(jìn)行量測，借助點(diǎn)針(Prober)進(jìn)行電性量測，對于半導體組件失效分析奴鼓，均能提供直接且快速的信息。
應用范圍：
組件電性特性分析策汀；
微機電及芯片微結構研究；
可應用在高頻電路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)；
當分析樣品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等儀器卻無(wú)適當治具或socket可用時(shí)烤眨，可用點(diǎn)針?lè )绞教峁┬盘栞斎胼敵觯?/p>
Wafer可點(diǎn)針進(jìn)行各項測試舰吝；
實(shí)驗室另架設有Laser System，可做Laser Cut。
柵極電壓掃描曲線(xiàn)：
Vgs對Ids的曲線(xiàn)圖，當晶體管的Vds電壓固定時(shí)姨凹，變動(dòng)Vgs則Ids亦會(huì )改變，可以得到一條Vgs 對Ids的曲線(xiàn)圖。此曲線(xiàn)可以研究在信道中的載子(電子或電洞)是如何被提升到傳導帶熔番，而信道形成的臨界電壓及線(xiàn)性區的臨界電壓都可以被測得，可研究晶體管相當重要的特性曲線(xiàn)。
測試圖片和曲線(xiàn)：
設備圖片：
創(chuàng )芯在線(xiàn)實(shí)驗室設備優(yōu)勢：
1、偵測范圍廣：BGA Ball, 各類(lèi)型Die Pad, FIB Pad殿陋，等晶圓級量測；
2、有助于失效分析快速確認失效模式诅爸，排查失效點(diǎn)烈宪，縮小失效范圍个蛹，為去層分析和FIB分析做鋪墊吉抢。
