失效分析
半導體組件參數分析
描述: 利用SMU(Source measurement unit)供應電壓或電流,驗證與量測半導體組件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲線(xiàn)等)。如電容-電壓特性曲線(xiàn)坊棍、電壓-電流(IV)、電阻、電容贬轿、電感值量測或信號波形等,藉此了解組件的故障行為,以利后續的分析動(dòng)作彼赣。
檢測設備能力:
Keysight B1500A:最多4 Channels污谱、最高電壓200 V、最大限流1A,功率為20W。
1、可在0.1 fA-1 A /0.5 μV - 200 V范圍內進(jìn)行精確的電流-電壓(IV)測量,支持點(diǎn)測量、掃描測量、采樣和脈沖測量昭提;
2、在1 kHz至5 MHz頻率范圍內進(jìn)行交流電容測量,支持準靜態(tài)電容-電壓(QS-CV)測量靶侯;
3、可選擇不同模式(先進(jìn)的脈沖IV測量和超快IV測量)捻林,最低采樣間隔為5 ns(200 MSa/s);
4、電性失效分析量測(EFA奏居,Electrical Failure Analysis);
測試范圍:
CMOS 晶體管 Id-Vg、Id-Vd、Vth泰前、擊穿、電容和 QSCV
雙極晶體管 Ic-Vc、二極管矮槽、Gummel 曲線(xiàn)圖、擊穿和電容等
分立器件 Id-Vg、Id-Vd时川、Ic-Vc、二極管等
內存 Vth、電容森撞、耐久性測試
功率器件 脈沖 Id-Vg、脈沖 Id-Vd、擊穿
納米器件 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc
可靠性測試 NBTI/PBTI、電荷泵、電遷移剁淤、熱載流子注入、斜坡電流(J-Ramp)豪吞、TDDB 等
檢測曲線(xiàn)圖片:
檢測設備:
檢測優(yōu)勢:
1皂棠、 電容-電壓(C-V)、電壓-電流(I-V)、電阻(R)、電容(C)、電感(L)和訊號波形(Waveform)等主亿。為失效分析提供保障,以利后續的分析動(dòng)作。
2展沸、 Keysight EasyEXPERT group+ 軟件是B1500A 自帶的 GUI 界面軟件,可在B1500A 的嵌入式 Windows 10 平臺上運行,支持高效和可重復的器件表征。B1500A 擁有幾百種即時(shí)可用的測量(應用測試),為測試執行和分析提供了直觀(guān)和功能強大的操作環(huán)境。它可以幫助工程師對器件轧蒲、材料随精、半導體镇庇、有源 / 無(wú)源元器件或幾乎任何其他類(lèi)型的電子器件進(jìn)行精確和快速的電子表征和測試。
3、 測試范圍廣、定位精確命哲、測試數據圖片更直觀(guān)、測試效率更高。