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材料分析
雙束聚焦離子束
描述： Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，以電子束對樣品斷面進(jìn)行觀(guān)察，亦可進(jìn)行EDX成份分析。
Dual Beam FIB具備超高分辨率的離子束及電子束，能針對樣品的微細結構進(jìn)行奈米尺度的定位及觀(guān)察继乖。離子束最大電流可達65nA，極佳的切削速度能大幅縮短分析的時(shí)長(cháng)，降低實(shí)驗的成本蔓甲。
應用范圍：
半導體組件失效分析結構分析(能力可達14nm高階制程)配孝；
半導體生產(chǎn)線(xiàn)制程異常分析；
磊晶與薄膜結構分析；
穿透式電子顯微鏡試片制作谋玛。
檢測圖片：
TEM樣品制備：最薄可制備出厚度約15nm之TEM試片叮舆。
銅晶粒分析：采用特殊樣品制備手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大范圍銅晶粒影像。
EDS分析：75mm2大面積EDS偵測器时责，可達極佳的空間分辨率，實(shí)現邊切、邊拍、邊分析的高階應用依珠。
橫截面分析：Helios NanoLab具有極佳的E-beam分辨率，標示處3nm的Void與Gate Oxide均清晰可見(jiàn)。
檢測設備能量圖片：
FEI Helios NanoLab 660
樣品最大尺寸：150mm；
配有75mm2 SDD EDS偵測器，可進(jìn)行實(shí)時(shí)EDS分析扇酝；
配有MultiChem氣體系統，可通入六種沉積或stain氣體；
觀(guān)測范圍寬度超過(guò)100um夕魂，或深度超過(guò)50um時(shí)，建議可改用切削速度更快速的Plasma FIB。
